AIMDQ75R016M2HXTMA1
AIMDQ75R016M2HXTMA1
AIMDQ75R016M2HXTMA1 Specifications
حالة القطعة：
Active
نوع التثبيت：
Surface Mount
نوع FET：
N-Channel
ميزة FET：
-
درجة حرارة التشغيل：
-55°C ~ 175°C (TJ)
الصف：
Automotive
التأهيل：
AEC-Q101
التيار - استنزاف مستمر (Id) عند 25 درجة مئوية：
103A (Tc)
تكنولوجيا：
SiCFET (Silicon Carbide)
جهد التشغيل (أقصى مقاومة Rds عند التشغيل، أدنى مقاومة Rds عند التشغيل)：
15V, 20V
Vgs (الحد الأقصى)：
+23V, -7V
الحزمة / العلبة：
22-PowerBSOP Module
استهلاك الطاقة (الحد الأقصى)：
394W (Tc)
شحنة البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs：
74 nC @ 18 V
المورد الجهاز الحزمة：
PG-HDSOP-22
الجهد من المصرف إلى المصدر (Vdss)：
840 V
Rds On (الحد الأقصى) @ Id, Vgs：
14mOhm @ 55.8A, 20V
Vgs(th) (الحد الأقصى) @ Id：
5.6V @ 12.3mA
السعة المدخلة (Ciss) (الحد الأقصى) عند Vds：
2577 pF @ 500 V
