AUIRS2123STR
IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC
AUIRS2123STR Specifications
نوع التثبيت：
Surface Mount
الحزمة / العلبة：
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
حالة القطعة：
Not For New Designs
درجة حرارة التشغيل：
-55°C ~ 150°C (TJ)
ديجي كي القابلة للبرمجة：
Not Verified
输入类型为阿拉伯文：
Non-Inverting
المورد الجهاز الحزمة：
8-SOIC
الصف：
Automotive
نوع القناة：
Single
عدد السائقين：
1
الجهد المنطقي - VIL, VIH：
-
نوع البوابة：
IGBT, MOSFET (N-Channel)
الجهد - التغذية：
10V ~ 20V
الجهد الجانبي العالي - الحد الأقصى (التمهيد)：
600 V
التأهيل：
AEC-Q100
التكوين المدعوم：
High-Side
التيار - ذروة الإخراج (المصدر، المصرف)：
500mA, 500mA
وقت الارتفاع / الانخفاض (النموذجي)：
80ns, 80ns
