BSP171IATMA1
BSP171IATMA1
BSP171IATMA1 Specifications
حالة القطعة：
Active
نوع التثبيت：
Surface Mount
تكنولوجيا：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (الحد الأقصى)：
±20V
ميزة FET：
-
الصف：
-
التأهيل：
-
درجة حرارة التشغيل：
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع FET：
P-Channel
الجهد من المصرف إلى المصدر (Vdss)：
60 V
جهد التشغيل (أقصى مقاومة Rds عند التشغيل، أدنى مقاومة Rds عند التشغيل)：
4.5V, 10V
الحزمة / العلبة：
TO-261-3
Vgs(th) (الحد الأقصى) @ Id：
2V @ 270µA
شحنة البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs：
8.4 nC @ 4.5 V
السعة المدخلة (Ciss) (الحد الأقصى) عند Vds：
550 pF @ 30 V
Rds On (الحد الأقصى) @ Id, Vgs：
250mOhm @ 1.9A, 10V
استهلاك الطاقة (الحد الأقصى)：
1.8W (Ta), 5W (Tc)
التيار - استنزاف مستمر (Id) عند 25 درجة مئوية：
1.9A (Ta), 3.2A (Tc)
المورد الجهاز الحزمة：
PG-SOT223-4-U01
