BSS131IXUSA1
BSS131IXUSA1
BSS131IXUSA1 Specifications
حالة القطعة：
Active
نوع التثبيت：
Surface Mount
نوع FET：
N-Channel
تكنولوجيا：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (الحد الأقصى)：
±20V
ميزة FET：
-
الصف：
-
التأهيل：
-
درجة حرارة التشغيل：
-55°C ~ 150°C (TJ)
الحزمة / العلبة：
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
جهد التشغيل (أقصى مقاومة Rds عند التشغيل، أدنى مقاومة Rds عند التشغيل)：
4.5V, 10V
الجهد من المصرف إلى المصدر (Vdss)：
240 V
Vgs(th) (الحد الأقصى) @ Id：
1.8V @ 56µA
التيار - استنزاف مستمر (Id) عند 25 درجة مئوية：
109mA (Ta), 121mA (Tc)
Rds On (الحد الأقصى) @ Id, Vgs：
14Ohm @ 120mA, 10V
شحنة البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs：
2.6 nC @ 10 V
السعة المدخلة (Ciss) (الحد الأقصى) عند Vds：
74 pF @ 120 V
استهلاك الطاقة (الحد الأقصى)：
400mW (Ta), 440mW (Tc)
المورد الجهاز الحزمة：
PG-SOT23-3-U03
