BSS83IXUSA1
BSS83IXUSA1
BSS83IXUSA1 Specifications
حالة القطعة：
Active
نوع التثبيت：
Surface Mount
تكنولوجيا：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (الحد الأقصى)：
±20V
ميزة FET：
-
الصف：
-
التأهيل：
-
درجة حرارة التشغيل：
-55°C ~ 150°C (TJ)
الحزمة / العلبة：
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
نوع FET：
P-Channel
الجهد من المصرف إلى المصدر (Vdss)：
60 V
جهد التشغيل (أقصى مقاومة Rds عند التشغيل، أدنى مقاومة Rds عند التشغيل)：
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ Id, Vgs：
1.7Ohm @ 300mA, 10V
Vgs(th) (الحد الأقصى) @ Id：
2V @ 34µA
المورد الجهاز الحزمة：
PG-SOT23-3-U03
التيار - استنزاف مستمر (Id) عند 25 درجة مئوية：
320mA (Ta), 550mA (Tc)
شحنة البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs：
1.09 nC @ 4.5 V
السعة المدخلة (Ciss) (الحد الأقصى) عند Vds：
72 pF @ 30 V
استهلاك الطاقة (الحد الأقصى)：
400mW (Ta), 1.04W (Tc)
