BSS84IXUSA1
BSS84IXUSA1
BSS84IXUSA1 Specifications
حالة القطعة：
Active
نوع التثبيت：
Surface Mount
تكنولوجيا：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (الحد الأقصى)：
±20V
ميزة FET：
-
الصف：
-
التأهيل：
-
درجة حرارة التشغيل：
-55°C ~ 150°C (TJ)
الحزمة / العلبة：
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
نوع FET：
P-Channel
الجهد من المصرف إلى المصدر (Vdss)：
60 V
جهد التشغيل (أقصى مقاومة Rds عند التشغيل، أدنى مقاومة Rds عند التشغيل)：
4.5V, 10V
السعة المدخلة (Ciss) (الحد الأقصى) عند Vds：
23 pF @ 30 V
Vgs(th) (الحد الأقصى) @ Id：
2V @ 11µA
Rds On (الحد الأقصى) @ Id, Vgs：
5.5Ohm @ 180mA, 10V
المورد الجهاز الحزمة：
PG-SOT23-3-U03
التيار - استنزاف مستمر (Id) عند 25 درجة مئوية：
180mA (Ta), 290mA (Tc)
شحنة البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs：
780 pC @ 10 V
استهلاك الطاقة (الحد الأقصى)：
400mW (Ta), 960mW (Tc)
