FP50R12N2T7PBPSA1
1200 V, 50 A PIM IGBT MODULE
FP50R12N2T7PBPSA1 Specifications
حالة القطعة：
Active
نوع التثبيت：
Chassis Mount
الحزمة / العلبة：
Module
تيار المجمع (Ic) (الأقصى)：
50 A
الجهد - انهيار المجمع الباعث (الحد الأقصى)：
1200 V
تكوين：
Three Phase Inverter
درجة حرارة التشغيل：
-40°C ~ 175°C (TJ)
المدخلات：
Three Phase Bridge Rectifier
مقاومة حرارية ذات معامل حرارة سالب (NTC)：
Yes
نوع IGBT：
Trench Field Stop
المورد الجهاز الحزمة：
AG-ECONO2B
Vce(تشغيل) (الحد الأقصى) @ Vge, Ic：
1.85V @ 15V, 25A
السعة المدخلة (Cies) عند Vce：
11.1 nF @ 25 V
تيار القاطع - قطع المجمع (الحد الأقصى)：
4 µA
