IDWD25G200C5XKSA1
DIODE SIC 2000V 77A PGTO2472U01
IDWD25G200C5XKSA1 Specifications
نوع التثبيت：
Through Hole
حالة القطعة：
Active
الصف：
-
التأهيل：
-
درجة حرارة التشغيل - الوصلة：
-55°C ~ 175°C
الحزمة / العلبة：
TO-247-2
الجهد - العكسي للتيار المستمر (Vr) (الأعلى)：
2000 V
تكنولوجيا：
SiC (Silicon Carbide) Schottky
السرعة：
No Recovery Time > 500mA (Io)
وقت الاسترداد العكسي (trr)：
0 ns
التيار - المعدل المتوسط (Io)：
77A
الجهد الأمامي (Vf) (الحد الأقصى) @ If：
1.75 V @ 25 A
المورد الجهاز الحزمة：
PG-TO247-2-U01
التيار - تسرب عكسي @ Vr：
375 µA @ 2 kV
السعة @ Vr, F：
2850pF @ 1V, 100kHz
