IDWD75G120C5XKSA1
SIC DISCRETE
IDWD75G120C5XKSA1 Specifications
نوع التثبيت：
Through Hole
حالة القطعة：
Active
الصف：
-
التأهيل：
-
درجة حرارة التشغيل - الوصلة：
-55°C ~ 175°C
الجهد - العكسي للتيار المستمر (Vr) (الأعلى)：
1200 V
الحزمة / العلبة：
TO-247-2
تكنولوجيا：
SiC (Silicon Carbide) Schottky
السرعة：
No Recovery Time > 500mA (Io)
وقت الاسترداد العكسي (trr)：
0 ns
الجهد الأمامي (Vf) (الحد الأقصى) @ If：
1.8 V @ 75 A
المورد الجهاز الحزمة：
PG-TO247-2-U01
التيار - المعدل المتوسط (Io)：
186A
التيار - تسرب عكسي @ Vr：
600 µA @ 1.2 kV
السعة @ Vr, F：
4243pF @ 1V, 100kHz
