IPT60R120CM8XTMA1
IPT60R120CM8XTMA1
IPT60R120CM8XTMA1 Specifications
حالة القطعة：
Active
نوع التثبيت：
Surface Mount
نوع FET：
N-Channel
تكنولوجيا：
MOSFET (Metal Oxide)
جهد التشغيل (أقصى مقاومة Rds عند التشغيل، أدنى مقاومة Rds عند التشغيل)：
10V
Vgs (الحد الأقصى)：
±20V
ميزة FET：
-
الصف：
-
التأهيل：
-
درجة حرارة التشغيل：
-55°C ~ 150°C (TJ)
شحنة البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs：
24 nC @ 10 V
الجهد من المصرف إلى المصدر (Vdss)：
600 V
التيار - استنزاف مستمر (Id) عند 25 درجة مئوية：
24A (Tc)
الحزمة / العلبة：
8-PowerSFN
استهلاك الطاقة (الحد الأقصى)：
154W (Tc)
المورد الجهاز الحزمة：
PG-HSOF-8
Rds On (الحد الأقصى) @ Id, Vgs：
120mOhm @ 8.3A, 10V
Vgs(th) (الحد الأقصى) @ Id：
4.7V @ 200µA
السعة المدخلة (Ciss) (الحد الأقصى) عند Vds：
1045 pF @ 400 V
