IPTC068N20NM6ATMA1
IPTC068N20NM6ATMA1
IPTC068N20NM6ATMA1 Specifications
حالة القطعة：
Active
نوع التثبيت：
Surface Mount
نوع FET：
N-Channel
تكنولوجيا：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (الحد الأقصى)：
±20V
ميزة FET：
-
درجة حرارة التشغيل：
-55°C ~ 175°C (TJ)
الصف：
-
التأهيل：
-
الجهد من المصرف إلى المصدر (Vdss)：
200 V
شحنة البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs：
107 nC @ 10 V
جهد التشغيل (أقصى مقاومة Rds عند التشغيل، أدنى مقاومة Rds عند التشغيل)：
10V, 15V
الحزمة / العلبة：
16-PowerSOP Module
استهلاك الطاقة (الحد الأقصى)：
3.8W (Ta), 319W (Tc)
Vgs(th) (الحد الأقصى) @ Id：
4.5V @ 251µA
السعة المدخلة (Ciss) (الحد الأقصى) عند Vds：
7300 pF @ 100 V
التيار - استنزاف مستمر (Id) عند 25 درجة مئوية：
15.2A (Ta), 140A (Tc)
Rds On (الحد الأقصى) @ Id, Vgs：
6.25mOhm @ 126A, 15V
المورد الجهاز الحزمة：
PG-HDSOP-16-U04
