IPZA65R040CM8XKSA1
IPZA65R040CM8XKSA1
IPZA65R040CM8XKSA1 Specifications
نوع التثبيت：
Through Hole
حالة القطعة：
Active
نوع FET：
N-Channel
تكنولوجيا：
MOSFET (Metal Oxide)
جهد التشغيل (أقصى مقاومة Rds عند التشغيل، أدنى مقاومة Rds عند التشغيل)：
10V
Vgs (الحد الأقصى)：
±20V
ميزة FET：
-
الصف：
-
التأهيل：
-
درجة حرارة التشغيل：
-55°C ~ 150°C (TJ)
شحنة البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs：
80 nC @ 10 V
الجهد من المصرف إلى المصدر (Vdss)：
650 V
التيار - استنزاف مستمر (Id) عند 25 درجة مئوية：
62A (Tc)
Rds On (الحد الأقصى) @ Id, Vgs：
40mOhm @ 25A, 10V
الحزمة / العلبة：
TO-247-4
استهلاك الطاقة (الحد الأقصى)：
329W (Tc)
المورد الجهاز الحزمة：
PG-TO247-4-U02
Vgs(th) (الحد الأقصى) @ Id：
4.7V @ 680µA
السعة المدخلة (Ciss) (الحد الأقصى) عند Vds：
3796 pF @ 400 V
