IR2011PBF
IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8DIP
IR2011PBF Specifications
نوع التثبيت：
Through Hole
الحزمة / العلبة：
8-DIP (0.300", 7.62mm)
حالة القطعة：
Active
المورد الجهاز الحزمة：
8-PDIP
ديجي كي القابلة للبرمجة：
Not Verified
نوع القناة：
Independent
نوع البوابة：
MOSFET (N-Channel)
عدد السائقين：
2
输入类型为阿拉伯文：
Inverting
الجهد - التغذية：
10V ~ 20V
درجة حرارة التشغيل：
-40°C ~ 150°C (TJ)
التكوين المدعوم：
High-Side or Low-Side
التيار - ذروة الإخراج (المصدر، المصرف)：
1A, 1A
الجهد المنطقي - VIL, VIH：
0.7V, 2.2V
الجهد الجانبي العالي - الحد الأقصى (التمهيد)：
200 V
وقت الارتفاع / الانخفاض (النموذجي)：
35ns, 20ns
