IDWD75G120C5XKSA1
SIC DISCRETE
IDWD75G120C5XKSA1 Specifications
Tipo de Montaje：
Through Hole
Estado de la Pieza：
Active
Grado：
-
Calificación：
-
Temperatura de Operación - Unión：
-55°C ~ 175°C
Voltaje - Inversa de Corriente Continua (Vr) (Máx.)：
1200 V
Paquete / Carcasa：
TO-247-2
Tecnología：
SiC (Silicon Carbide) Schottky
Velocidad：
No Recovery Time > 500mA (Io)
Tiempo de Recuperación Inversa (trr)：
0 ns
Voltaje - Directo (Vf) (Máx.) @ If：
1.8 V @ 75 A
Proveedor Dispositivo Paquete：
PG-TO247-2-U01
Corriente - Promedio Rectificado (Io)：
186A
Corriente - Fuga Inversa @ Vr：
600 µA @ 1.2 kV
Capacitancia @ Vr, F：
4243pF @ 1V, 100kHz
