IDWD75G120C5XKSA1
SIC DISCRETE
IDWD75G120C5XKSA1 Specifications
Type de montage：
Through Hole
Statut de la pièce：
Active
Grade：
-
Qualification：
-
Température de fonctionnement - Jonction：
-55°C ~ 175°C
Tension - Inverse CC (Vr) (Max)：
1200 V
Boîtier：
TO-247-2
Technologie：
SiC (Silicon Carbide) Schottky
Vitesse：
No Recovery Time > 500mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr)：
0 ns
Tension directe (Vf) (Max) @ If：
1.8 V @ 75 A
Fournisseur Dispositif Emballage：
PG-TO247-2-U01
Courant - Moyenne redressée (Io)：
186A
Courant - Fuite inverse @ Vr：
600 µA @ 1.2 kV
电容 @ Vr, F：
4243pF @ 1V, 100kHz
