IR2011PBF
IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8DIP
IR2011PBF Specifications
実装タイプ：
Through Hole
パッケージ / ケース：
8-DIP (0.300", 7.62mm)
部品ステータス：
Active
サプライヤーデバイスパッケージ：
8-PDIP
ディギキー・プログラマブル：
Not Verified
チャネルタイプ：
Independent
ゲートタイプ：
MOSFET (N-Channel)
ドライバ数：
2
输入类型：
Inverting
電源電圧：
10V ~ 20V
動作温度：
-40°C ~ 150°C (TJ)
駆動構成：
High-Side or Low-Side
電流 - ピーク出力（ソース、シンク）：
1A, 1A
ロジック電圧 - VIL、VIH：
0.7V, 2.2V
ハイサイド電圧 - 最大（ブートストラップ）：
200 V
立ち上がり/立ち下がり時間（標準）：
35ns, 20ns
