BSS83IXUSA1
BSS83IXUSA1
BSS83IXUSA1 Specifications
부품 상태：
Active
장착 유형：
Surface Mount
기술：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (최대)：
±20V
FET 피처：
-
등급：
-
자격 인증：
-
작동 온도：
-55°C ~ 150°C (TJ)
패키지 / 케이스：
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
FET 유형：
P-Channel
드레인-소스 전압 (Vdss)：
60 V
구동 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)：
4.5V, 10V
Rds On(최대) @ Id, Vgs：
1.7Ohm @ 300mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id：
2V @ 34µA
공급업체 장치 패키지：
PG-SOT23-3-U03
전류 - 연속 드레인 (Id) @ 25°C：
320mA (Ta), 550mA (Tc)
게이트 전하 (Qg) (최대) @ Vgs：
1.09 nC @ 4.5 V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds：
72 pF @ 30 V
전력 소산 (최대)：
400mW (Ta), 1.04W (Tc)
