DF419MR20W3M1HFB11BPSA1
MOSFET 4N-CH 2000V 50A AG-EASY3B
DF419MR20W3M1HFB11BPSA1 Specifications
부품 상태：
Active
장착 유형：
Chassis Mount
기술：
MOSFET (Metal Oxide)
FET 피처：
-
패키지 / 케이스：
Module
파워 - 최대：
-
작동 온도：
-40°C ~ 175°C (TJ)
컨피규레이션：
4 N-Channel
전류 - 연속 드레인 (Id) @ 25°C：
50A (Tj)
공급업체 장치 패키지：
AG-EASY3B
드레인-소스 전압 (Vdss)：
2000V (2kV)
Rds On(최대) @ Id, Vgs：
26.5mOhm @ 60A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id：
5.15V @ 34mA
게이트 전하 (Qg) (최대) @ Vgs：
234nC @ 18V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds：
7240pF @ 1.2kV
