F423MR12W1M1B76BPSA1
MOSFET 4N-CH 1200V 45A AG-EASY1B
F423MR12W1M1B76BPSA1 Specifications
부품 상태：
Obsolete
장착 유형：
Chassis Mount
FET 피처：
-
패키지 / 케이스：
Module
작동 온도：
-40°C ~ 150°C (TJ)
파워 - 최대：
-
컨피규레이션：
4 N-Channel (Full Bridge)
기술：
Silicon Carbide (SiC)
드레인-소스 전압 (Vdss)：
1200V (1.2kV)
Vgs(th) (Max) @ Id：
5.55V @ 20mA
Rds On(최대) @ Id, Vgs：
22.5mOhm @ 50A, 15V
게이트 전하 (Qg) (최대) @ Vgs：
124nC @ 15V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds：
3680pF @ 800V
공급업체 장치 패키지：
AG-EASY1B-2
전류 - 연속 드레인 (Id) @ 25°C：
45A (Tj)
