F433MR12W1M1HB76BPSA1
LOW POWER EASY
F433MR12W1M1HB76BPSA1 Specifications
부품 상태：
Active
장착 유형：
Chassis Mount
공급업체 장치 패키지：
-
등급：
-
자격 인증：
-
패키지 / 케이스：
Module
파워 - 최대：
-
작동 온도：
-40°C ~ 175°C (TJ)
기술：
Silicon Carbide (SiC)
전류 - 연속 드레인 (Id) @ 25°C：
25A
컨피규레이션：
4 N-Channel
FET 피처：
Silicon Carbide (SiC)
Rds On(최대) @ Id, Vgs：
32.3mOhm @ 25A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id：
5.15V @ 10mA
게이트 전하 (Qg) (최대) @ Vgs：
74nC @ 18V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds：
2200pF @ 800V
