F435MR07W1D7S8B11ABPSA1
MOSFET 4N-CH 650V 35A MODULE
F435MR07W1D7S8B11ABPSA1 Specifications
부품 상태：
Active
장착 유형：
Chassis Mount
기술：
MOSFET (Metal Oxide)
FET 피처：
-
등급：
-
자격 인증：
-
패키지 / 케이스：
Module
작동 온도：
-40°C ~ 150°C (TJ)
파워 - 최대：
-
공급업체 장치 패키지：
Module
컨피규레이션：
4 N-Channel (Full Bridge)
전류 - 연속 드레인 (Id) @ 25°C：
35A
드레인-소스 전압 (Vdss)：
650V
Rds On(최대) @ Id, Vgs：
39.4mOhm @ 35A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id：
4.45V @ 1.74mA
게이트 전하 (Qg) (최대) @ Vgs：
141nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds：
6950pF @ 400V
