FF11MR12W2M1HPB11BPSA1
MOSFET 1200V
FF11MR12W2M1HPB11BPSA1 Specifications
부품 상태：
Active
공급업체 장치 패키지：
-
작동 온도：
-
FET 피처：
-
장착 유형：
-
패키지 / 케이스：
-
컨피규레이션：
-
Vgs(th) (Max) @ Id：
-
기술：
-
파워 - 최대：
-
게이트 전하 (Qg) (최대) @ Vgs：
-
전류 - 연속 드레인 (Id) @ 25°C：
-
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds：
-
Rds On(최대) @ Id, Vgs：
-
드레인-소스 전압 (Vdss)：
1200V (1.2kV)
