FF6MR12KM1BOSA1
MOSFET 2N-CH 1200V 250A AG-62MM
FF6MR12KM1BOSA1 Specifications
부품 상태：
Obsolete
장착 유형：
Chassis Mount
FET 피처：
-
패키지 / 케이스：
Module
작동 온도：
-40°C ~ 150°C (TJ)
파워 - 최대：
-
전류 - 연속 드레인 (Id) @ 25°C：
250A (Tc)
컨피규레이션：
2 N-Channel (Half Bridge)
기술：
Silicon Carbide (SiC)
드레인-소스 전압 (Vdss)：
1200V (1.2kV)
게이트 전하 (Qg) (최대) @ Vgs：
496nC @ 15V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds：
14700pF @ 800V
공급업체 장치 패키지：
AG-62MM
Rds On(최대) @ Id, Vgs：
5.81mOhm @ 250A, 15V
Vgs(th) (Max) @ Id：
5.15V @ 80mA
