FF6MR12W2M1HB11BPSA1
MOSFET 2N-CH 1200V 145A MODULE
FF6MR12W2M1HB11BPSA1 Specifications
부품 상태：
Active
장착 유형：
Chassis Mount
FET 피처：
-
패키지 / 케이스：
Module
파워 - 최대：
-
공급업체 장치 패키지：
Module
작동 온도：
-40°C ~ 175°C (TJ)
컨피규레이션：
2 N-Channel (Half Bridge)
기술：
Silicon Carbide (SiC)
드레인-소스 전압 (Vdss)：
1200V (1.2kV)
전류 - 연속 드레인 (Id) @ 25°C：
145A (Tj)
Rds On(최대) @ Id, Vgs：
5.4mOhm @ 150A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id：
5.15V @ 60mA
게이트 전하 (Qg) (최대) @ Vgs：
446nC @ 18V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds：
13200pF @ 800V
