FS13MR12W2M1HB70BPSA1
MOSFET 6N-CH 1200V 62.5A
FS13MR12W2M1HB70BPSA1 Specifications
부품 상태：
Active
공급업체 장치 패키지：
-
작동 온도：
-
FET 피처：
-
장착 유형：
-
패키지 / 케이스：
-
컨피규레이션：
6 N-Channel (3-Phase Bridge)
전류 - 연속 드레인 (Id) @ 25°C：
62.5A (Tc)
기술：
Silicon Carbide (SiC)
드레인-소스 전압 (Vdss)：
1200V (1.2kV)
Rds On(최대) @ Id, Vgs：
11.7mOhm @ 62.5A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id：
5.15V @ 28mA
게이트 전하 (Qg) (최대) @ Vgs：
200nC @ 18V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds：
6050pF @ 800V
