IMCQ120R040M2HXTMA1
SIC DISCRETE
IMCQ120R040M2HXTMA1 Specifications
부품 상태：
Active
장착 유형：
Surface Mount
FET 유형：
N-Channel
기술：
MOSFET (Metal Oxide)
FET 피처：
-
작동 온도：
-55°C ~ 175°C (TJ)
등급：
-
자격 인증：
-
전류 - 연속 드레인 (Id) @ 25°C：
56A (Tc)
드레인-소스 전압 (Vdss)：
1200 V
전력 소산 (최대)：
288W (Tc)
구동 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)：
15V, 18V
Vgs (최대)：
+23V, -5V
패키지 / 케이스：
22-PowerBSOP Module
Rds On(최대) @ Id, Vgs：
39.6mOhm @ 17.5A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id：
5.1V @ 5.5mA
공급업체 장치 패키지：
PG-HDSOP-22-3
게이트 전하 (Qg) (최대) @ Vgs：
42.4 nC @ 18 V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds：
1660 pF @ 800 V
