IMDQ75R016M2HXTMA1
IMDQ75R016M2HXTMA1
IMDQ75R016M2HXTMA1 Specifications
부품 상태：
Active
장착 유형：
Surface Mount
FET 유형：
N-Channel
FET 피처：
-
작동 온도：
-55°C ~ 175°C (TJ)
등급：
-
자격 인증：
-
전류 - 연속 드레인 (Id) @ 25°C：
103A (Tc)
기술：
SiCFET (Silicon Carbide)
구동 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)：
15V, 20V
Vgs (최대)：
+23V, -7V
패키지 / 케이스：
22-PowerBSOP Module
전력 소산 (최대)：
394W (Tc)
게이트 전하 (Qg) (최대) @ Vgs：
74 nC @ 18 V
공급업체 장치 패키지：
PG-HDSOP-22
드레인-소스 전압 (Vdss)：
840 V
Rds On(최대) @ Id, Vgs：
14mOhm @ 55.8A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id：
5.6V @ 12.3mA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds：
2577 pF @ 500 V
