IMSQ120R012M2HHXUMA1
SIC DISCRETE
IMSQ120R012M2HHXUMA1 Specifications
부품 상태：
Active
장착 유형：
Surface Mount
FET 피처：
-
작동 온도：
-55°C ~ 175°C (TJ)
등급：
-
자격 인증：
-
컨피규레이션：
2 N-Channel (Half Bridge)
기술：
Silicon Carbide (SiC)
드레인-소스 전압 (Vdss)：
1200V (1.2kV)
Vgs(th) (Max) @ Id：
5.1V @ 17.8mA
Rds On(최대) @ Id, Vgs：
12mOhm @ 57A, 18V
