IMZA120R012M2HXKSA1
IMZA120R012M2HXKSA1
IMZA120R012M2HXKSA1 Specifications
장착 유형：
Through Hole
부품 상태：
Active
FET 유형：
N-Channel
FET 피처：
-
작동 온도：
-55°C ~ 175°C (TJ)
등급：
-
자격 인증：
-
전력 소산 (최대)：
480W (Tc)
드레인-소스 전압 (Vdss)：
1200 V
패키지 / 케이스：
TO-247-4
전류 - 연속 드레인 (Id) @ 25°C：
129A (Tc)
기술：
SiCFET (Silicon Carbide)
구동 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)：
15V, 18V
Vgs (최대)：
+23V, -7V
공급업체 장치 패키지：
PG-TO247-4-8
Vgs(th) (Max) @ Id：
5.1V @ 17.8mA
게이트 전하 (Qg) (최대) @ Vgs：
124 nC @ 18 V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds：
4050 pF @ 800 V
Rds On(최대) @ Id, Vgs：
16mOhm @ 57A, 18V
