IPB095N20NM6ATMA1
IPB095N20NM6ATMA1
IPB095N20NM6ATMA1 Specifications
부품 상태：
Active
장착 유형：
Surface Mount
FET 유형：
N-Channel
기술：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (최대)：
±20V
FET 피처：
-
작동 온도：
-55°C ~ 175°C (TJ)
등급：
-
자격 인증：
-
드레인-소스 전압 (Vdss)：
200 V
패키지 / 케이스：
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
게이트 전하 (Qg) (최대) @ Vgs：
66 nC @ 10 V
전력 소산 (최대)：
3.8W (Ta), 300W (Tc)
구동 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)：
10V, 15V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds：
5500 pF @ 100 V
전류 - 연속 드레인 (Id) @ 25°C：
13A (Ta), 116A (Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs：
8.7mOhm @ 62A, 15V
Vgs(th) (Max) @ Id：
4.5V @ 186µA
공급업체 장치 패키지：
PG-TO263-3-U01
