IPDQ60R070CM8XTMA1
IPDQ60R070CM8XTMA1
IPDQ60R070CM8XTMA1 Specifications
부품 상태：
Active
장착 유형：
Surface Mount
FET 유형：
N-Channel
기술：
MOSFET (Metal Oxide)
구동 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)：
10V
Vgs (최대)：
±20V
FET 피처：
-
등급：
-
자격 인증：
-
작동 온도：
-55°C ~ 150°C (TJ)
드레인-소스 전압 (Vdss)：
600 V
전류 - 연속 드레인 (Id) @ 25°C：
37A (Tc)
게이트 전하 (Qg) (최대) @ Vgs：
43 nC @ 10 V
전력 소산 (최대)：
205W (Tc)
패키지 / 케이스：
22-PowerBSOP Module
공급업체 장치 패키지：
PG-HDSOP-22
Rds On(최대) @ Id, Vgs：
70mOhm @ 14.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id：
4.7V @ 360µA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds：
1878 pF @ 400 V
