IPG20N06S2L65AAUMA1
MOSFET 2N-CH 55V 20A 8TDSON
IPG20N06S2L65AAUMA1 Specifications
부품 상태：
Obsolete
기술：
MOSFET (Metal Oxide)
작동 온도：
-55°C ~ 175°C (TJ)
컨피규레이션：
2 N-Channel (Dual)
전류 - 연속 드레인 (Id) @ 25°C：
20A (Tc)
FET 피처：
Logic Level Gate
게이트 전하 (Qg) (최대) @ Vgs：
12nC @ 10V
드레인-소스 전압 (Vdss)：
55V
패키지 / 케이스：
8-PowerVDFN
Vgs(th) (Max) @ Id：
2V @ 14µA
장착 유형：
Surface Mount, Wettable Flank
Rds On(최대) @ Id, Vgs：
65mOhm @ 15A, 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds：
410pF @ 25V
공급업체 장치 패키지：
PG-TDSON-8-10
파워 - 최대：
43W (Tc)
