IPM018N10NM5LF2AUMA1
IPM018N10NM5LF2AUMA1
IPM018N10NM5LF2AUMA1 Specifications
부품 상태：
Active
장착 유형：
Surface Mount
FET 유형：
N-Channel
기술：
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)：
100 V
Vgs (최대)：
±20V
FET 피처：
-
작동 온도：
-55°C ~ 175°C (TJ)
등급：
-
자격 인증：
-
구동 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)：
10V, 15V
게이트 전하 (Qg) (최대) @ Vgs：
178 nC @ 10 V
공급업체 장치 패키지：
PG-HSOG-4-1
패키지 / 케이스：
4-PowerSFN
Rds On(최대) @ Id, Vgs：
1.7mOhm @ 100A, 15V
전류 - 연속 드레인 (Id) @ 25°C：
30A (Ta), 285A (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id：
3.45V @ 240µA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds：
14000 pF @ 50 V
전력 소산 (최대)：
3.8W (Ta), 349W (Tc)
