IPW65R018CM8XKSA1
IPW65R018CM8XKSA1
IPW65R018CM8XKSA1 Specifications
장착 유형：
Through Hole
부품 상태：
Active
FET 유형：
N-Channel
기술：
MOSFET (Metal Oxide)
구동 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)：
10V
Vgs (최대)：
±20V
FET 피처：
-
등급：
-
자격 인증：
-
작동 온도：
-55°C ~ 150°C (TJ)
패키지 / 케이스：
TO-247-3
전력 소산 (최대)：
521W (Tc)
전류 - 연속 드레인 (Id) @ 25°C：
116A (Tc)
드레인-소스 전압 (Vdss)：
650 V
게이트 전하 (Qg) (최대) @ Vgs：
173 nC @ 10 V
공급업체 장치 패키지：
PG-TO247-3-U06
Vgs(th) (Max) @ Id：
4.7V @ 1.48mA
Rds On(최대) @ Id, Vgs：
18mOhm @ 55.6A, 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds：
8290 pF @ 400 V
