IRF7103TRPBFXTMA1
MOSFET 2N-CH 50V 3A 8DSO-902
IRF7103TRPBFXTMA1 Specifications
부품 상태：
Active
장착 유형：
Surface Mount
패키지 / 케이스：
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
기술：
MOSFET (Metal Oxide)
FET 피처：
-
작동 온도：
-55°C ~ 150°C (TJ)
컨피규레이션：
2 N-Channel (Dual)
드레인-소스 전압 (Vdss)：
50V
Vgs(th) (Max) @ Id：
3V @ 250µA
전류 - 연속 드레인 (Id) @ 25°C：
3A (Ta)
게이트 전하 (Qg) (최대) @ Vgs：
30nC @ 10V
Rds On(최대) @ Id, Vgs：
130mOhm @ 3A, 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds：
290pF @ 25V
파워 - 최대：
2W (Ta)
공급업체 장치 패키지：
PG-DSO-8-902
