IRF7341TRPBFXTMA1
MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8DSO-902
IRF7341TRPBFXTMA1 Specifications
부품 상태：
Active
장착 유형：
Surface Mount
패키지 / 케이스：
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
기술：
MOSFET (Metal Oxide)
작동 온도：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (Max) @ Id：
1V @ 250µA
컨피규레이션：
2 N-Channel (Dual)
FET 피처：
Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)：
55V
전류 - 연속 드레인 (Id) @ 25°C：
4.7A (Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs：
50mOhm @ 4.7A, 10V
게이트 전하 (Qg) (최대) @ Vgs：
36nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds：
740pF @ 25V
파워 - 최대：
2W (Tc)
공급업체 장치 패키지：
PG-DSO-8-902
