IPB095N20NM6ATMA1
IPB095N20NM6ATMA1
IPB095N20NM6ATMA1 Specifications
Статус детали：
Active
Тип монтажа：
Surface Mount
Тип полевого транзистора：
N-Channel
Технология：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (макс.)：
±20V
FET Особенности：
-
Рабочая температура：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Класс：
-
Квалификация：
-
Напряжение сток-исток (Vdss)：
200 V
Корпус：
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs：
66 nC @ 10 V
Рассеиваемая мощность (максимальная)：
3.8W (Ta), 300W (Tc)
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)：
10V, 15V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds：
5500 pF @ 100 V
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C：
13A (Ta), 116A (Tc)
Rds On (Макс) @ Id, Vgs：
8.7mOhm @ 62A, 15V
Vgs(th) (макс.) при Id：
4.5V @ 186µA
Поставщик Устройство Корпус：
PG-TO263-3-U01
