S80KS5122GABHI023
IC PSRAM 512MBIT HYPERBUS 24FBGA
S80KS5122GABHI023 Specifications
Статус детали：
Active
Рабочая температура：
-40°C ~ 85°C (TA)
Тип монтажа：
Surface Mount
Программируемый：
Not Verified
Тип памяти：
Volatile
Тактовая частота：
200 MHz
Время цикла записи - Слово, Страница：
35ns
Время доступа：
35 ns
Объем памяти：
512Mbit
Организация памяти：
64M x 8
Формат памяти：
PSRAM
Технология：
PSRAM (Pseudo SRAM)
Напряжение питания：
1.7V ~ 2V
Поставщик Устройство Корпус：
24-FBGA (6x8)
Интерфейс памяти：
HyperBus
Корпус：
24-VBGA
