DF16MR12W1M1HFB67BPSA1
MOSFET 2N-CH 1200V 25A
DF16MR12W1M1HFB67BPSA1 规格
零件状态：
Active
安装类型：
Chassis Mount
场效应晶体管特性：
-
技术：
-
工作温度：
-40°C ~ 150°C (TJ)
最大功率：
-
配置：
2 N-Channel (Dual)
漏极至源极电压 (Vdss)：
1200V (1.2kV)
连续漏极电流 (Id) @ 25°C：
25A
导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压：
32.3mOhm @ 25A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流：
5.15V @ 10mA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs：
74nC @ 18V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds：
2200pF @ 800V
