DF419MR20W3M1HFB11BPSA1
MOSFET 4N-CH 2000V 50A AG-EASY3B
DF419MR20W3M1HFB11BPSA1 规格
零件状态：
Active
安装类型：
Chassis Mount
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
场效应晶体管特性：
-
封装 / 外壳：
Module
最大功率：
-
工作温度：
-40°C ~ 175°C (TJ)
配置：
4 N-Channel
连续漏极电流 (Id) @ 25°C：
50A (Tj)
供应商器件封装：
AG-EASY3B
漏极至源极电压 (Vdss)：
2000V (2kV)
导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压：
26.5mOhm @ 60A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流：
5.15V @ 34mA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs：
234nC @ 18V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds：
7240pF @ 1.2kV
