FF11MR12W2M1HPB11BPSA1
MOSFET 1200V
FF11MR12W2M1HPB11BPSA1 规格
零件状态：
Active
供应商器件封装：
-
工作温度：
-
场效应晶体管特性：
-
安装类型：
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封装 / 外壳：
-
配置：
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Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流：
-
技术：
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最大功率：
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栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs：
-
连续漏极电流 (Id) @ 25°C：
-
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds：
-
导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压：
-
漏极至源极电压 (Vdss)：
1200V (1.2kV)
