FF4MR12W2M1HPB11BPSA1
MOSFET 2N-CH 1200V AG-EASY2B
FF4MR12W2M1HPB11BPSA1 规格
零件状态：
Active
安装类型：
Chassis Mount
场效应晶体管特性：
-
封装 / 外壳：
Module
工作温度：
-40°C ~ 175°C (TJ)
配置：
2 N-Channel (Half Bridge)
技术：
Silicon Carbide (SiC)
漏极至源极电压 (Vdss)：
1200V (1.2kV)
连续漏极电流 (Id) @ 25°C：
170A
供应商器件封装：
AG-EASY2B
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流：
5.15V @ 80mA
最大功率：
20mW
导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压：
4mOhm @ 200A, 18V
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs：
594nC @ 18V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds：
17600pF @ 800V
