FF4MR20KM1HHPSA1
MOSFET 2N-CH 2000V AG-62MMHB
FF4MR20KM1HHPSA1 规格
零件状态：
Active
安装类型：
Chassis Mount
场效应晶体管特性：
-
封装 / 外壳：
Module
最大功率：
-
配置：
2 N-Channel (Dual)
工作温度：
-40°C ~ 175°C (TJ)
连续漏极电流 (Id) @ 25°C：
280A (Tc)
技术：
Silicon Carbide (SiC)
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流：
5.15V @ 168mA
供应商器件封装：
AG-62MMHB
漏极至源极电压 (Vdss)：
2000V (2kV)
导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压：
5.3mOhm @ 300A, 18V
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs：
1170nC @ 18V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds：
36100pF @ 1.2kV
