FF6MR20W2M1HB70BPSA1
FF6MR20W2M1HB70BPSA1
FF6MR20W2M1HB70BPSA1 规格
零件状态：
Active
安装类型：
Chassis Mount
供应商器件封装：
-
场效应晶体管特性：
-
等级：
-
认证：
-
封装 / 外壳：
Module
最大功率：
-
工作温度：
-40°C ~ 175°C (TJ)
配置：
2 N-Channel (Half Bridge)
技术：
Silicon Carbide (SiC)
漏极至源极电压 (Vdss)：
2000V (2kV)
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流：
5.15V @ 112mA
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds：
24100pF @ 1.2kV
连续漏极电流 (Id) @ 25°C：
160A (Tj)
导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压：
8.1mOhm @ 160A, 18V
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs：
780nC @ 3V
