FS02MR12A8MA2BBPSA1
MOSFET 6N-CH 1200V 390A
FS02MR12A8MA2BBPSA1 规格
零件状态：
Active
安装类型：
Chassis Mount
供应商器件封装：
-
场效应晶体管特性：
-
等级：
-
认证：
-
封装 / 外壳：
Module
最大功率：
-
工作温度：
-40°C ~ 175°C (TJ)
技术：
Silicon Carbide (SiC)
漏极至源极电压 (Vdss)：
1200V (1.2kV)
配置：
6 N-Channel
连续漏极电流 (Id) @ 25°C：
390A (Tj)
导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压：
1.9mOhm @ 390A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流：
4.55V @ 160mA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs：
1.19µC @ 18V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds：
34500pF @ 750V
