FS13MR12W2M1HB70BPSA1
MOSFET 6N-CH 1200V 62.5A
FS13MR12W2M1HB70BPSA1 规格
零件状态：
Active
供应商器件封装：
-
工作温度：
-
场效应晶体管特性：
-
安装类型：
-
封装 / 外壳：
-
配置：
6 N-Channel (3-Phase Bridge)
连续漏极电流 (Id) @ 25°C：
62.5A (Tc)
技术：
Silicon Carbide (SiC)
漏极至源极电压 (Vdss)：
1200V (1.2kV)
导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压：
11.7mOhm @ 62.5A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流：
5.15V @ 28mA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs：
200nC @ 18V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds：
6050pF @ 800V
