FS13MR12W2M1HC55BPSA1
LOW POWER EASY
FS13MR12W2M1HC55BPSA1 规格
零件状态：
Active
安装类型：
Chassis Mount
供应商器件封装：
-
等级：
-
认证：
-
封装 / 外壳：
Module
工作温度：
-40°C ~ 150°C (TJ)
最大功率：
-
技术：
Silicon Carbide (SiC)
导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压：
11.7mOhm @ 62.5A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流：
5.15V @ 28mA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs：
200nC @ 18V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds：
6050pF @ 800V
场效应晶体管特性：
Silicon Carbide (SiC)
配置：
6 N-Channel
