IAUC60N04S6N031HATMA1
MOSFET 2N-CH 40V 60A 8TDSON
IAUC60N04S6N031HATMA1 规格
零件状态：
Active
安装类型：
Surface Mount
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
场效应晶体管特性：
-
工作温度：
-55°C ~ 175°C (TJ)
等级：
Automotive
认证：
AEC-Q101
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs：
30nC @ 10V
漏极至源极电压 (Vdss)：
40V
封装 / 外壳：
8-PowerVDFN
导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压：
3.1mOhm @ 30A, 10V
配置：
2 N-Channel (Half Bridge)
最大功率：
75W (Tc)
连续漏极电流 (Id) @ 25°C：
60A (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流：
3V @ 25µA
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds：
1922pF @ 25V
供应商器件封装：
PG-TDSON-8-56
