IAUTN08S5N012LATMA1
MOSFET 2N-CH 80V 300A PG-HSOF
IAUTN08S5N012LATMA1 规格
零件状态：
Active
安装类型：
Surface Mount
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
场效应晶体管特性：
-
工作温度：
-55°C ~ 175°C (TJ)
等级：
Automotive
认证：
AEC-Q101
漏极至源极电压 (Vdss)：
80V
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs：
24nC @ 10V
封装 / 外壳：
8-PowerSFN
导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压：
1.15mOhm @ 100A, 10V
供应商器件封装：
PG-HSOF-8-2
连续漏极电流 (Id) @ 25°C：
300A (Tj)
配置：
2 N-Channel, Common Drain, Common Source
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流：
3.3V @ 275µA
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds：
15340pF @ 40V
最大功率：
375W (Tc)
