IMSQ120R012M2HHXUMA1
SIC DISCRETE
IMSQ120R012M2HHXUMA1 规格
零件状态：
Active
安装类型：
Surface Mount
场效应晶体管特性：
-
工作温度：
-55°C ~ 175°C (TJ)
等级：
-
认证：
-
配置：
2 N-Channel (Half Bridge)
技术：
Silicon Carbide (SiC)
漏极至源极电压 (Vdss)：
1200V (1.2kV)
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流：
5.1V @ 17.8mA
导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压：
12mOhm @ 57A, 18V
